|
реклама |
|
|
|
|
|
|
История науки и техники Аннотация к статье << Назад
Полупроводниковые знакосинтезирующие индикаторы |
В.П. Сушков
Изложена история разработок материалов, конструкций и технологий изготовления полупроводниковых знакосинтезирующих индикаторов (ППЗСИ) в НПП «Сапфир» и в стране в целом. Обоснована концепция выполнения разработок и производства ППЗСИ двойного назначения в рамках комплексных целевых программ. Выполнение программ «Перелёт», «Перелёт-80» «Перелёт-85» привело к созданию новой полупроводниковой подотрасли знакосинтезирующих индикаторов в электронной промышленности страны.
Ключевые слова: светодиод; материалы AIIIBV; гетеропереход; буквенно-цифровые индикаторы; шкалы; модули экрана. Стр. 65-71 |
|
|
|
Последние новости:
Выставки по автоматизации и электронике «ПТА-Урал 2018» и «Электроника-Урал 2018» состоятся в Екатеринбурге Открыта электронная регистрация на выставку Дефектоскопия / NDT St. Petersburg Открыта регистрация на 9-ю Международную научно-практическую конференцию «Строительство и ремонт скважин — 2018» ExpoElectronica и ElectronTechExpo 2018: рост площади экспозиции на 19% и новые формы контент-программы Тематика и состав экспозиции РЭП на выставке "ChipEXPO - 2018" |